HAT1044M-EL-E

Name: Renesas HAT1044M-EL-E
Brand: Renesas
Rating: 4.7 (5 reviews)

Renesas
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE
Date Sheet

Lagernummer 1850

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：6-TSOP
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Renesas
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Obsolete
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1.05W (Ta)
Описание пакета：MODIFIED SC-95, TSOP-6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：PTSP0006FA-A6
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：HAT1044M-EL-E
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.81
Код упаковки компонента：TSOP
Максимальный ток утечки (ID)：4.5 A
Серия：-
Рабочая температура：150°C
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：6
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：Renesas
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60mOhm @ 3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：4.5 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.105 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：18 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
Характеристика ТРП：-

Со склада 1850

Итого $0.00000