SIDR5102EP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIDR5102EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Date Sheet

Lagernummer 5

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28.2A (Ta), 126A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：7.5W (Ta), 150W (Tc)
Основной номер продукта：SIDR5102
Формат упаковки：PowerPAK SO-8DC
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：126A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：200 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：7.5 W
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Зарядная характеристика ворот：20 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.6 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：8.9 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Число контактов：8
Распад мощности：150W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.1mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2850 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：51 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-

Со склада 5

Итого $0.00000