IPDQ60R065S7XTMA1

Name: Infineon Technologies IPDQ60R065S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
Price: 5.225213 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (16 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
22-PowerBSOP Module
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Date Sheet

Lagernummer 924

1+： $5.22521
10+： $4.92945
100+： $4.65042
500+： $4.38719
1000+： $4.13886

Zwischensummenbetrag $5.22521

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：22-PowerBSOP Module
Поставщик упаковки устройства：PG-HDSOP-22-1
Максимальная мощность рассеяния：195W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：12V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
Состояние продукта：Active
Mfr：Infineon Technologies
Пакетная партия производителя：750
Партийные обозначения：IPDQ60R065S7 SP005559296
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
РХОС：Details
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Распад мощности：195 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：51 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：65 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：9 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 8A, 12V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 490μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1932 pF @ 300 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：51 nC @ 12 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 924

1+： $5.22521
10+： $4.92945
100+： $4.65042
500+： $4.38719
1000+： $4.13886

Итого $5.22521