SSM6N813R,LF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Price: 0.5720562 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (5 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-SMD, Flat Leads
SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD
Date Sheet

Lagernummer 3685

1+： $0.57206
10+： $0.53968
100+： $0.50913
500+： $0.48031
1000+： $0.45312

Zwischensummenbetrag $0.57206

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
Поставщик упаковки устройства：6-TSOP-F
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.5A (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：360 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：2.5 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：3.6 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：112 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：670 ns
Id - Непрерывный ток разряда：3.5 A
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：1.5W (Ta)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：112mOhm @ 3.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：242pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.6nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel MOSFET
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 3685

1+： $0.57206
10+： $0.53968
100+： $0.50913
500+： $0.48031
1000+： $0.45312

Итого $0.57206