(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UPA1552BH
Изображение служит лишь для справки
UPA1552BH
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.24ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：10
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T10
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：UPA1552BH
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NEC Electronics Group
- Количество элементов：4
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NEC ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：5 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：10
- Код JESD-30：R-PSIP-T10
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.24 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：20 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
