Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UPA1552BH
Изображение служит лишь для справки
UPA1552BH
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.24ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：10
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T10
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：UPA1552BH
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：NEC Electronics Group
- Number of Elements：4
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：NEC ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.39
- Drain Current-Max (ID)：5 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN LEAD
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：10
- JESD-30 Code：R-PSIP-T10
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：0.24 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20 A
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты