(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXV2N7218U
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N7218U
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный ток утечки (ID)：28 A
- Ранг риска：5.24
- Производитель IHS：DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Производитель：Defense Supply Center Columbus
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：JANTXV2N7218U
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Описание пакета：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Нормативная Марка：MIL-19500/596
- Код JESD-30：R-CBCC-N3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.125 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：112 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：250 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
