Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 1770

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:ITO-220AB
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакет:Bulk
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:20A (Ta)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4V, 10V
  • Mfr:Renesas
  • Максимальная мощность рассеяния:2W (Ta), 35W (Tc)
  • Состояние продукта:Obsolete
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Артикул Производителя:2SK2461-AZ
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:NEC Electronics Group
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:NEC ELECTRONICS CORP
  • Ранг риска:7.26
  • Код упаковки компонента:SFM
  • Максимальный ток утечки (ID):20 A
  • Рабочая температура:150°C
  • Серия:-
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Технология:MOSFET (Metal Oxide)
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:80mOhm @ 10A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 1mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1400 pF @ 10 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:51 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:80 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:100 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):40 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:-

Со склада 1770

Итого $0.00000