(0)
Изображение служит лишь для справки
GS8150V36AB-300
-
GSI Technology
-
Память
- -
- Late-Write SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：119
- Описание пакета：BGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：512000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：1.6 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：GS8150V36AB-300
- Количество слов：524288 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：BGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：GSI Technology
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GSI TECHNOLOGY
- Ранг риска：5.23
- Код упаковки компонента：BGA
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：119
- Код JESD-30：R-PBGA-B119
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：512KX36
- Максимальная высота посадки：1.99 mm
- Ширина памяти：36
- Плотность памяти：18874368 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：LATE-WRITE SRAM
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
