Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK193
Изображение служит лишь для справки
2SK193
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：125 °C
- Manufacturer Part Number：2SK193
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：NEC Electronics America Inc
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：NEC ELECTRONICS AMERICA INC
- Risk Rank：5.82
- Drain Current-Max (ID)：0.01 A
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：DEPLETION MODE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- FET Technology：JUNCTION
- Feedback Cap-Max (Crss)：0.25 pF
- Highest Frequency Band：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Power Gain-Min (Gp)：13 dB
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты