Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXV2N7222U
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N7222U
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
- Package Style：CHIP CARRIER
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Manufacturer Part Number：JANTXV2N7222U
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Defense Logistics Agency
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：DEFENSE LOGISTICS AGENCY
- Risk Rank：5.24
- Drain Current-Max (ID)：8 A
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：NO LEAD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- Reference Standard：MIL-19500/596
- JESD-30 Code：R-CBCC-N3
- Qualification Status：Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：0.95 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：32 A
- DS Breakdown Voltage-Min：500 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：700 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты