Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MTD1N50E
Изображение служит лишь для справки
MTD1N50E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 1A, 500V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：MTD1N50E
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：ON Semiconductor
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.09
- Drain Current-Max (ID)：1 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1 A
- Drain-source On Resistance-Max：5 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：3 A
- DS Breakdown Voltage-Min：500 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：45 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：40 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты