(0)
Изображение служит лишь для справки
FP50R06KE3G
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：24
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：FP50R06KE3G
- Производитель：Infineon
- Описание пакета：MODULE-24
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：170 ns
- Время отключения (toff)：760 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：7
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.6
- Код упаковки компонента：MODULE
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：24
- Код JESD-30：R-XUFM-X24
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMPLEX
- Сокетная связка：ISOLATED
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：190 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：60 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：1.9 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
