(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MMDF2C02HDR2
Изображение служит лишь для справки
MMDF2C02HDR2
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 3.8A, 20V, 0.09ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 13440
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MMDF2C02HDR2
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Motorola Semiconductor Products
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Ранг риска：8.56
- Максимальный ток утечки (ID)：3.8 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.8 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.09 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：19 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：405 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
Со склада 13440
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
