(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK49N65W,S1F(S
Изображение служит лишь для справки
TK49N65W,S1F(S
Lagernummer 7
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Прямоходящий ток вывода Id：49.2
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：TO-247
- Максимальная рабочая температура：+150 °C
- Режим канала：Enhancement
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Время типичного задержки включения：130 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：400 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.211644 oz
- Пакетная партия производителя：30
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：160 nC
- Торговое наименование：DTMOSIV
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：55 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：270 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：49.2 A
- Серия：TK
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：400
- Время подъема：70 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：5.02mm
- Высота：20.95mm
- Длина：15.94mm
Со склада 7
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
