(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK2865(TE16L1,NQ)
Изображение служит лишь для справки
2SK2865(TE16L1,NQ)
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CH 600V 2A SC-64
Date Sheet
Lagernummer 3880
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：2SK2865(TE16L1,NQ)
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.66
- Код упаковки компонента：SC-64
- Максимальный ток утечки (ID)：2 A
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：93 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 3880
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
