(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLF6G22L-40BN,112
Изображение служит лишь для справки
BLF6G22L-40BN,112
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CQFM-X6
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BLF6G22L-40BN,112
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Ampleon
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：AMPLEON NETHERLANDS B V
- Ранг риска：5.66
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：QUAD
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-CQFM-X6
- Конфигурация：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
