IRF7862PBF

Name: Infineon IRF7862PBF
Brand: Infineon
Rating: 4.6 (20 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEADFREE, SO-8
Date Sheet

Lagernummer 29142

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：LEADFREE, SO-8
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная температура рефлоу：30
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IRF7862PBF
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Описание Samacsys：MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.31
Максимальный ток утечки (ID)：21 A
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：MS-012AA
Максимальный сливовой ток (ID)：21 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0037 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：170 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：350 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W

Со склада 29142

Итого $0.00000