(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HAT1025R
Изображение служит лишь для справки
HAT1025R
-
Hitachi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：HAT1025R
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Hitachi Ltd
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：HITACHI LTD
- Ранг риска：5.35
- Код упаковки компонента：SOIC
- Максимальный ток утечки (ID)：4.5 A
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：36 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
