(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXVR2N7550T1
Изображение служит лишь для справки
JANTXVR2N7550T1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：JANTXVR2N7550T1
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：45 A
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)
- Код JESD-30：S-XSFM-P3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-254AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：45 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：180 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：480 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：208 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
