(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC200P03LSG
Изображение служит лишь для справки
BSC200P03LSG
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 5000
- 1+： $0.57221
- 10+： $0.53982
- 100+： $0.50927
- 500+： $0.48044
- 1000+： $0.45324
Zwischensummenbetrag $0.57221
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8-6
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id：9.9
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSC200P03LSG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.82
- Максимальный ток утечки (ID)：9.9 A
- Состояние продукта：Active
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta), 63W (Tc)
- Mfr：Infineon Technologies
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
- Пакет：Bulk
- Описание пакета：GREEN, PLASTIC, TDSON-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Серия：OptiMOS®
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория：Other Transistors
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20mOhm @ 12.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2430 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48.5 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：12.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.02 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：50 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Канальный тип：P
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：98 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：63 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 5000
- 1+： $0.57221
- 10+： $0.53982
- 100+： $0.50927
- 500+： $0.48044
- 1000+： $0.45324
Итого $0.57221
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
