(0)
Изображение служит лишь для справки
BCR185WE6327
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- SC-70, SOT-323
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Date Sheet
Lagernummer 375034
- 1+： $0.03338
- 10+： $0.03149
- 100+： $0.02971
- 500+： $0.02803
- 1000+： $0.02644
Zwischensummenbetrag $0.03338
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT323-3-1
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：200 MHz
- Артикул Производителя：BCR185WE6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.43
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Подкатегория：BIP General Purpose Small Signals
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：250 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500µA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：200 MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.25 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
- База (R1)：10 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Со склада 375034
- 1+： $0.03338
- 10+： $0.03149
- 100+： $0.02971
- 500+： $0.02803
- 1000+： $0.02644
Итого $0.03338
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
