(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC3423Y
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 0.05 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 8000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Траниционный частотный предел (fT)：200 MHz
- Артикул Производителя：2SC3423-Y
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.78
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.2 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.05 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：120
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：150 V
- Максимальное напряжение на выходе：1 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：5 W
Со склада 8000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
