NP50P06SDG-E2-AY

Name: Renesas Electronics America NP50P06SDG-E2-AY
Brand: Renesas Electronics America
Rating: 5 (15 reviews)

Renesas Electronics America
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Pch Single Power MOSFET -60V -50A 16.5mohm MP-3ZK/TO-252 Automotive
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：PRSS0004ZV-A3
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：NP50P06SDG-E2-AY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.33
Код упаковки компонента：MP-3ZK
Максимальный ток утечки (ID)：50 A
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：Renesas
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252AA
Максимальный сливовой ток (ID)：50 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.023 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：150 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：102 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：84 W

Со склада 0

Итого $0.00000