Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI100N08N3G
Изображение служит лишь для справки
IPI100N08N3G
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IPI100N08N3G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.84
- Part Package Code：TO-262AA
- Drain Current-Max (ID)：70 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-262AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：70 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.01 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：280 A
- DS Breakdown Voltage-Min：80 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：90 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：100 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты