(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF320
Изображение служит лишь для справки
IRF320
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRF320
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：International Rectifier
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска：4.08
- Максимальный ток утечки (ID)：3.3 A
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-204AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：13 A
- Минимальная напряжённость разрушения：400 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
