Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF320
Изображение служит лишь для справки
IRF320
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：IRF320
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：4.08
- Drain Current-Max (ID)：3.3 A
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：O-MBFM-P2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-204AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3.3 A
- Drain-source On Resistance-Max：1.8 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：13 A
- DS Breakdown Voltage-Min：400 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：50 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты