Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BS250F
Изображение служит лишь для справки
BS250F
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：10
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BS250F
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Zetex / Diodes Inc
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：ZETEX PLC
- Risk Rank：7.52
- Drain Current-Max (ID)：0.09 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- HTS Code：8541.21.00.95
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.09 A
- Drain-source On Resistance-Max：14 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：45 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.25 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты