(0)
Изображение служит лишь для справки
FZ200R65KF2
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
Date Sheet
Lagernummer 300
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：FZ200R65KF2
- Производитель：Infineon
- Описание пакета：MODULE-5
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：1120 ns
- Время отключения (toff)：6500 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.71
- Код упаковки компонента：MODULE
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Single
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：5
- Код JESD-30：R-XUFM-X5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Тип циркуляции：Single IGBT
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3800 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1000 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：6300 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：4.9 V
- Высота (мм)：48 mm
Со склада 300
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
