(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXV2N6849
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N6849
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：JANTXV2N6849
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Microsemi Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：7.04
- Максимальный ток утечки (ID)：6.5 A
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：RADIATION HARDENED
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：MILITARY STANDARD (USA)
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-205AF
- Сопротивление открытого канала-макс：0.3 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：25 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：500 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
