Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK2372A
Изображение служит лишь для справки
2SK2372A
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-88, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：PRSS0004ZS-A3
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：2SK2372-A
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.37
- Part Package Code：MP-88
- Drain Current-Max (ID)：25 A
- Pbfree Code：Yes
- Additional Feature：HIGH VOLTAGE, AVALANCHE RATING
- HTS Code：8541.29.00.95
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：Renesas
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：25 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.27 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：100 A
- DS Breakdown Voltage-Min：500 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：446 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：160 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты