NTE254

Name: NTE Electronics, Inc. NTE254
Brand: NTE Electronics, Inc.
Rating: 4.9 (15 reviews)

NTE Electronics, Inc.
Дискретные полупроводниковые
TO-225AA, TO-126-3
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Date Sheet

Lagernummer 161

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-126
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：NTE254
Производитель：NTE Electronics
Пакет：Bag
Максимальный коллекторный ток (Ic)：4 A
Mfr：NTE Electronics, Inc
Состояние продукта：Active
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-W3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：1.74
Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PSFM-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：DARLINGTON
Мощность - Макс：40 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP - Darlington
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 2A, 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100µA
Код JEDEC-95：TO-126
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 40mA, 4A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
Максимальный ток коллектора (IC)：4 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：40 W

Со склада 161

Итого $0.00000