Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

NTF3055-100T3

Lagernummer 5438

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Описание пакета:CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:3
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Код упаковки производителя:CASE 318E-04
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:NTF3055-100T3
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:ON Semiconductor
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
  • Ранг риска:5.19
  • Код упаковки компонента:TO-261AA
  • Максимальный ток утечки (ID):3 A
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):240
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Число контактов:4
  • Код JESD-30:R-PDSO-G4
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-261AA
  • Максимальный сливовой ток (ID):3 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.11 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:9 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):74 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):1.3 W

Со склада 5438

Итого $0.00000