(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ZVNL535A
Изображение служит лишь для справки
ZVNL535A
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：ZVNL535A
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Zetex / Diodes Inc
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：ZETEX PLC
- Ранг риска：5.09
- Максимальный ток утечки (ID)：0.09 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-PBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.09 A
- Сопротивление открытого канала-макс：40 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：350 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.7 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：4 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
