(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS169L6327
Изображение служит лишь для справки
BSS169L6327
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT23-3-5
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：170mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：0V, 10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：360mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSS169L6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.14
- Максимальный ток утечки (ID)：0.17 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：SIPMOS®
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.9Ohm @ 190mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.8V @ 50µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：68 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.8 nC @ 7 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.17 A
- Сопротивление открытого канала-макс：6 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.36 W
- Характеристика ТРП：Depletion Mode
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
