IPF135N03LG

Name: Infineon IPF135N03LG
Brand: Infineon
Rating: 4.6 (5 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IPF135N03LG
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.84
Код упаковки компонента：TO-252
Максимальный ток утечки (ID)：30 A
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252
Максимальный сливовой ток (ID)：30 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0135 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：210 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：31 W

Со склада 0

Итого $0.00000