(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTE490
Изображение служит лишь для справки
NTE490
-
NTE Electronics, Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Axial
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 604
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：Axial
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：Axial
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE490
- Производитель：NTE Electronics
- Пакет：Bag
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：500mA (Tj)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Максимальная мощность рассеяния：350mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：5.71
- Максимальный ток утечки (ID)：0.5 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-PBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5Ohm @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：60 pF @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：5 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.83 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 604
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
