Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUF75617D3
Изображение служит лишь для справки
HUF75617D3
- Fairchild Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
- Date Sheet
Lagernummer 150
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type:Through Hole
- Package / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Supplier Device Package:I-PAK
- Package:Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:16A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max):64W (Tc)
- Product Status:Obsolete
- Operating Temperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Series:UltraFET™
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type:N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:90mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:570 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:39 nC @ 20 V
- Drain to Source Voltage (Vdss):100 V
- Vgs (Max):±20V
- FET Feature:-
Со склада 150
Итого $0.00000