Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQPF13N50C_G
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：FQPF13N50C_G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Fairchild Semiconductor Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank：5.71
- Part Package Code：TO-220F
- Drain Current-Max (ID)：13 A
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- HTS Code：8541.29.00.95
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Brand Name：Fairchild Semiconductor
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：13 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.48 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52 A
- DS Breakdown Voltage-Min：500 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：860 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：48 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты