Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ100N06LS3GXT
Изображение служит лишь для справки
BSZ100N06LS3GXT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 25000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：5
- Transistor Element Material：SILICON
- Continuous Drain Current Id：11
- Package Description：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BSZ100N06LS3GXT
- Package Shape：SQUARE
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.76
- Drain Current-Max (ID)：20 A
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：NO LEAD
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：S-PDSO-N5
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：0.0179 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80 A
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- Channel Type：N
- Avalanche Energy Rating (Eas)：55 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：50 W
Со склада 25000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты