(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HAT2199R-EL-E
Изображение служит лишь для справки
HAT2199R-EL-E
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Nch Single Power MOSFET 30V 11A 16.5mohm SOP8
Date Sheet
Lagernummer 30000
- 1+： $1.00761
- 10+： $0.95058
- 100+： $0.89677
- 500+： $0.84601
- 1000+： $0.79813
Zwischensummenbetrag $1.00761
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id：11
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PRSP0008DD-D8
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：HAT2199R-EL-E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.79
- Код упаковки компонента：SOP
- Максимальный ток утечки (ID)：11 A
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16.5mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：-
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1060 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.5 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：11 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.025 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：88 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Канальный тип：N
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 30000
- 1+： $1.00761
- 10+： $0.95058
- 100+： $0.89677
- 500+： $0.84601
- 1000+： $0.79813
Итого $1.00761
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
