Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI80N03S4L-04
Изображение служит лишь для справки
IPI80N03S4L-04
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 374
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package：Bulk
- Mfr：Infineon Technologies
- Product Status：Active
- Package Description：GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
- Package Style：IN-LINE
- Moisture Sensitivity Levels：NOT SPECIFIED
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IPI80N03S4L-04
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.34
- Part Package Code：TO-262AA
- Drain Current-Max (ID)：80 A
- Series：*
- Pbfree Code：Yes
- Terminal Finish：NOT SPECIFIED
- Additional Feature：ULTRA LOW RESISTANCE
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：COMMERCIAL
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-262AA
- Drain-source On Resistance-Max：0.0037 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：320 A
- DS Breakdown Voltage-Min：30 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：95 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 374
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты