(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N6790
Изображение служит лишь для справки
2N6790
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
Date Sheet
Lagernummer 674
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный ток утечки (ID)：3.5 A
- Ранг риска：5.06
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Форма упаковки：ROUND
- Артикул Производителя：2N6790
- Рохс Код：No
- Температура работы-Макс：150 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：MILITARY STANDARD (USA)
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-205AF
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：14 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：66 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20 W
Со склада 674
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
