2SA1162-GR(F)

Name: Toshiba 2SA1162-GR(F)
Brand: Toshiba
Rating: 4.9 (19 reviews)

Toshiba
Дискретные полупроводниковые
-
150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Date Sheet

Lagernummer 1426

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Число элементов на чипе：1
Размеры：1.1 x 2.9 x 1.5mm
Формат упаковки：SOT-346 (SC-59)
Максимальная рабочая температура：+125 °C
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Максимальный постоянный ток сбора：150 mA
Максимальная частота работы：80 MHz
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока：70
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：125 °C
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：80 MHz
Артикул Производителя：2SA1162-GR(F)
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Описание Samacsys：Transistor Toshiba 2SA1162-GR(F) PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 3-Pin SC-59
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Ранг риска：5.6
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Код JEDEC-95：TO-236
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.15 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：200
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：7 pF

Со склада 1426

Итого $0.00000