Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

NTNS3C94NZT5G

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:1 Week
  • Корпус / Кейс:XLLGA-3
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:3-XLLGA (0.62x0.62)
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:12 V
  • Время типичного задержки включения:7 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:400 mV
  • Распад мощности:120 mW
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 8 V, + 8 V
  • Вес единицы:0.000092 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:8000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:onsemi
  • Бренд:onsemi
  • Зарядная характеристика ворот:600 pC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:350 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:152 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:384 mA
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальная мощность рассеяния:120mW (Ta)
  • Mfr:onsemi
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.5V, 4.5V
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:384mA (Ta)
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Описание пакета:CHIP CARRIER, S-PBCC-N3
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Код упаковки производителя:713AE
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Артикул Производителя:NTNS3C94NZT5G
  • Форма упаковки:SQUARE
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Описание Samacsys:MOSFET 12V 480 mo SMALL SIGNAL MOSFET
  • Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
  • Ранг риска:1.56
  • Максимальный ток утечки (ID):0.384 A
  • Серия:NTNS3C94NZ
  • Пакетирование:Reel
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Код JESD-609:e4
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:S-PBCC-N3
  • Название бренда:ON Semiconductor
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:480mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250µA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:35 pF @ 9.6 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.6 nC @ 4.5 V
  • Время подъема:6.3 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):12 V
  • Угол настройки (макс.):±8V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:Single N-Channel MOSFET
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.48 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:12 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.12 W
  • Характеристика ТРП:-
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000