(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5NJ5305SCX
Изображение служит лишь для справки
IRF5NJ5305SCX
Lagernummer 74
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный ток утечки (ID)：22 A
- Ранг риска：5.37
- Время отключения макс. (toff)：130 ns
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Время включения макс. (ton)：151 ns
- Артикул Производителя：IRF5NJ5305SCX
- Рохс Код：No
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Описание пакета：SMD-0.5, 3 PIN
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-XBCC-N3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：22 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.065 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：88 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：160 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：75 W
Со склада 74
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
