Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSP1N60B
Изображение служит лишь для справки
SSP1N60B
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 3644
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：34W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：12Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：215 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.7 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
Со склада 3644
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты