(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSP1N60B
Изображение служит лишь для справки
SSP1N60B
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 2050
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：34W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12Ohm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：215 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2050
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
