Изображение служит лишь для справки






BFP740E6327
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- SC-82A, SOT-343
- RF Small Signal Bipolar Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 25477
- 1+: $0.28418
- 10+: $0.26810
- 100+: $0.25292
- 500+: $0.23861
- 1000+: $0.22510
Zwischensummenbetrag $0.28418
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-82A, SOT-343
- Поставщик упаковки устройства:PG-SOT343-4
- Полярность транзистора:NPN
- Монтаж:Surface Mount
- Уголок постоянного тока:160
- Усилительная напряжение:4 V
- Квантовозащитный:No
- Количество элементов:1
- Коллекторный ток (постоянный):0.045(A)
- Диапазон рабочей температуры:-65C to 150C
- Категория:Bipolar RF
- Токовая напряжение коллектора-эммитера:13(V)
- Формат упаковки:SOT-343
- Классификация Температурной Выносливости:Military
- Максимальный постоянный ток коллектора:0.03 A
- Эмиттер-основное напряжение:1.2(V)
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):30mA
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BFP740E6327
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.8
- Пакетирование:Tape and Reel
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Тип:NPN
- Код соответствия REACH:compliant
- Частота:42000 MHz
- Число контактов:3 +Tab
- Конфигурация:Single Dual Emitter
- Распад мощности:160
- Мощность - Макс:160mW
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 25mA, 3V
- Увеличение:27dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):4.7V
- Частота перехода:44
- Частота - Переход:42GHz
- Прямоходящий ток коллектора:45
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф):0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- Коэффициент усиления мощности:31.5(dB)
Со склада 25477
- 1+: $0.28418
- 10+: $0.26810
- 100+: $0.25292
- 500+: $0.23861
- 1000+: $0.22510
Итого $0.28418