Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQP3N90
Изображение служит лишь для справки
FQP3N90
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 4.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 223
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220-3
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：130W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：QFET®
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.25Ohm @ 1.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：910 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：900 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
Со склада 223
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты