Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQI2N90TU
Изображение служит лишь для справки
FQI2N90TU
- Fairchild Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type:Through Hole
- Package / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Supplier Device Package:I2PAK (TO-262)
- Package:Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:2.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max):3.13W (Ta), 85W (Tc)
- Product Status:Obsolete
- Operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series:QFET®
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type:N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.2Ohm @ 1.1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:500 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss):900 V
- Vgs (Max):±30V
- FET Feature:-
Со склада 1000
Итого $0.00000