Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MMFTN20
Изображение служит лишь для справки






MMFTN20
-
Diotec Semiconductor AG
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 3466
- 1+: $0.12260
- 10+: $0.11566
- 100+: $0.10911
- 500+: $0.10293
- 1000+: $0.09711
Zwischensummenbetrag $0.12260
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:MMFTN20
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Diotec Semiconductor AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
- Ранг риска:1.7
- Код упаковки компонента:SOT-23
- Максимальный ток утечки (ID):0.1 A
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-236
- Сопротивление открытого канала-макс:20 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:50 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF
Со склада 3466
- 1+: $0.12260
- 10+: $0.11566
- 100+: $0.10911
- 500+: $0.10293
- 1000+: $0.09711
Итого $0.12260