Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ZVNL120G
Изображение служит лишь для справки
ZVNL120G
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 200V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SOT-223, 4 PIN
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：ZVNL120G
- Turn-on Time-Max (ton)：16 ns
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Zetex / Diodes Inc
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：ZETEX PLC
- Turn-off Time-Max (toff)：32 ns
- Risk Rank：5.09
- Drain Current-Max (ID)：0.32 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.75
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：not_compliant
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.32 A
- Drain-source On Resistance-Max：10 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：2 A
- DS Breakdown Voltage-Min：200 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：2 W
- Feedback Cap-Max (Crss)：7 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты